第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议（ASDIT 2026）

会议简介 Brief Introduction

第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议（ASDIT 2026）将于2026年8月28-30日在中国江苏无锡举办。本次会议旨在汇聚全球半导体领域的顶尖学者、行业专家和企业领袖，共同探讨最新的研究成果和技术进展。会议将涵盖先进半导体器件的设计、制造、材料及其在各类应用中的创新，包括人工智能、量子计算和5G通信等前沿科技。与会者将有机会参加主题演讲、专题讨论和技术展示，深入了解行业动态，分享前沿经验。

我们诚邀全球的专家学者参与此次盛会，共同推动半导体技术的进步与发展。期待与您相聚无锡，共同探索未来科技的无限可能！

重要信息 Highlights

会议官网：www.asdit.org

会议时间：2026年8月28-30日

会议地点：中国-江苏无锡

发表流程：【投稿】→审稿返修→录用通知→缴费→【注册参会】→电子见刊→纸质论文集→检索；

论文检索：IEEE, EI, Scopus

最终截稿时间：2026年8月14日23:59！不再延期！

组织机构 Organization and Committee

主办单位

承办单位

江南大学集成电路学院

江南大学理学院

无锡市第三代半导体器件与集成技术重点实验室

江南大学-康讯半导体联合实验室

征稿主题 Call for Paper

新型半导体材料及其在器件中的应用、高性能MOSFET设计与优化、能耗效率优化的功率器件技术、超越硅的III-V族化合物半导体器件、微光电半导体传感器及其应用、半导体激光器及其新兴应用领域、石墨烯和其他二维材料器件、量子点和量子阱半导体器件、新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM、低温电子器件的挑战与机遇、高频和高功率器件的突破性技术、硅基光电子器件及其集成技术、隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究、半导体器件的可靠性与老化机制、先进封装和互连结构对器件性能的影响、三维集成电路及其制造工艺、片上系统(SoC)与集成方法、芯片异构集成技术、封装级集成技术的发展与创新、集成电路中的热管理技术、射频集成电路及其设计优化、人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用、先进模拟与混合信号集成电路、电源管理集成电路技术、集成电路设计中的可靠性与安全挑战、硅光子学互连技术、超大规模集成技术的最新进展、新兴存储器集成技术、模块化MEMS与NEMS的集成应用、智能传感系统的集成与创新

注册费用 Registration

类别	注册费用（人民币）
投稿（双栏4页）	3800元/篇（学生投稿优惠200元/篇，具体可联系会议秘书申请优惠）
超页费（第5页起）	400元/页
摘要投稿（免费赠送报告名额，提交摘要投稿仅作为交流展示，不提交见刊检索）	1800元/篇
听众参会/青年学者报告/海报展示	1500元/人